在制造芯片的圆晶体代工领域，大陆的中芯国际，要达到甚至超过我国台湾台积电的技术水平，有3种途径。
第一种途径是我国突破美国的阻挠，从荷兰的阿斯麦（ASML）公司获得目前最先进的EUV极紫外线光刻机。
光刻机是制造芯片必不可少的设备，而目前7纳米以下制程的芯片，都必须用到阿斯麦公司最先进的光刻机，台积电、三星和英特尔因为有阿斯麦最先进的光刻机，因此理论上可以制造出7纳米以下制程的芯片。
目前来说台积电在圆晶体代工领域，可以说是略胜三星和英特尔一筹，加上台积电只是代工厂，更让华为和苹果放心，因此它们的5纳米制程芯片目前都交由台积电代工。
而且台积电3纳米制程的芯片工厂也已经破土动工了，未来3年内应该可以实现生产，而目前中芯国际才刚实现14纳米制程芯片的量产，和台积电在芯片制造技术上差了好几代。
据说中芯国际通过现有技术的创新，可以制造出和台积电7纳米制程性能接近的芯片，但真正量产也还要一段时间，至于7纳米以下制程的芯片，离开阿斯麦最先进的光刻机，中芯国际目前是无能为力了。
本来中芯国际已经向阿斯麦公司订购了一台最先进的光刻机，如果按照合同这台机器早就应该到货了，但是在美国的威逼利诱下，荷兰政府硬是不让放行。
如果我国如果能让荷兰政府顶住美国压力放行的话，这台目前世界上最先进的光刻机到货之后，在中芯国际两大联合执行董事之一的梁孟松带领下，中芯国际在5年内赶上台积电也不是不可能，要知道三星的圆晶体代工技术正是在梁孟松加盟后，才逐渐接近台积电的。
现在美国为了打压华为，又出台使用了美国技术的公司，要向华为提供设备必须向美国商务部申请的规定，由于阿斯麦光刻机使用了美国的关源设备等技术，而中芯国际又和华为展开了密切的合作，因此中芯国际要拿到最先进的光刻机就更难了。
其实中芯国际现有的生产工艺也用到了美国技术，因此按美国的规定的话，也需要向美国商务部申请向华为提供设备，但是我们肯定不会也不能理会美国的无理要求，所以技术的去美国化势在必行。
当然美国也不没有掌握最先进的光刻机和芯片制程工艺，如果阿斯麦和台积电等公司联合起来反对美国的禁令，美国对此最终也是无可奈何的，毕竟禁了阿斯麦和台积电，美国一样生产不出最先进的芯片。
但是由于美国积威已久，这些公司本身就比较亲美，大股东都是美国资本，荷兰也美国的忠实小弟，因此中芯国际要从阿斯麦公司获得最先进的光刻机这一途径，目前来看成功的希望非常渺茫。
第二种途径，当然就是我国自研出媲美甚至超越阿斯麦公司的的光刻机了，我国在刻蚀机方面已经处于国际领先地位，如果攻克了光刻机这一难关，那么西方国家要在芯片上卡我们的脖子就很难了。
只是目前我国最先进的光刻机和阿斯麦公司还有很大差距，在未来几年内，能够生产出可以制造7纳米芯片的光刻机就算不错了，而台积电也在不断进步，因此中芯国际要靠自研光刻机赶上台积电，可能需要10年甚至更久的时间。
当然在压力下，我国的光刻机实现跨越式发展最好不过了，毕竟能生产光刻机我国还是有研发光刻机的基础的，如果投入大量资源和毅力的话，我相信我们一定能克服难关，到时候就是这些跟美国为虎作伥的公司的死期了。
第三种途径就是采用新的工艺和技术，正如阿斯麦公司采用新工艺，对日本光刻机公司实现弯道超车一样，实现对台积电的超越。
尽管台积电等公司一再打破摩尔定律，将芯片的制程不断向前推进，但是继续向前推进的技术难度越来越大，许多人估计推进到2纳米就很难再推进了，如果有新的更好的工艺取代现有技术的话，就有可能实现对台积电的弯道超车了。
不过谁也说不准，新技术何时能突破和是否可行，毕每项技术的革新都需要承当失败的巨大风险的，因此中芯国际靠技术革新实现对台积电的弯道超车，在时间上谁也说不准。
总之中芯国际要达到台积电等水平，最大制约因素就是光刻机，要么是我们获得先进的光刻机，要么是我们研发出绕过光刻机的新工艺技术，不然中芯国际超越台积电无望，所以许多人觉得早日实现国家统一就好了。
",